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場發(fā)射掃描電鏡測試

場發(fā)射掃描電鏡測試

簡要描述:場發(fā)射掃描電鏡測試?yán)脠霭l(fā)射電子槍產(chǎn)生高能量的電子束,當(dāng)電子束與樣品相互作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生二次電子、背散射電子等信號(hào)。二次電子主要來自樣品表面淺層,對樣品表面形貌非常敏感,可用于觀察樣品的表面細(xì)節(jié);背散射電子則與樣品原子序數(shù)有關(guān),通過分析背散射電子的信號(hào)可以了解樣品表面不同區(qū)域的成分差異。

所屬分類:掃描電鏡測試

更新時(shí)間:2025-01-13

廠商性質(zhì):其他

詳情介紹
品牌優(yōu)爾鴻信

優(yōu)爾鴻信檢測實(shí)驗(yàn)室配有場發(fā)射掃描電鏡、鎢絲燈掃描電鏡、FIB聚焦離子束、工業(yè)CT、超聲波C-SAM等電子元件及半導(dǎo)體檢測設(shè)備,可針對電子元件,半導(dǎo)體部件進(jìn)行質(zhì)量檢測和失效分析服務(wù)。

場發(fā)射掃描電鏡測試性能特點(diǎn)

高分辨率:可達(dá)到納米甚至亞納米級(jí)的分辨率,能夠清晰地觀察到樣品表面的微觀結(jié)構(gòu)和細(xì)節(jié)。

高放大倍數(shù):放大倍數(shù)通常在 10-100 萬倍之間連續(xù)可調(diào),可根據(jù)需要選擇合適的放大倍數(shù)觀察樣品。

良好的景深:可以獲得具有立體感的樣品表面圖像,對于觀察粗糙或不規(guī)則的樣品表面非常有利。

多功能性:除了觀察形貌外,還可配備能譜儀、電子背散射衍射儀等附件,進(jìn)行元素分析、晶體結(jié)構(gòu)分析等。

低電壓成像能力:在低加速電壓下也能獲得高質(zhì)量的圖像,可用于觀察對電子束敏感的樣品。

場發(fā)射掃描電鏡測試應(yīng)用領(lǐng)域

材料科學(xué)領(lǐng)域

材料微觀結(jié)構(gòu)研究:分析金屬、陶瓷、高分子等材料的晶粒尺寸、形狀、分布及晶界特征等,如研究納米金屬材料的晶粒大小和生長形態(tài),幫助優(yōu)化材料的制備工藝,提高材料性能。

材料表面形貌觀察:觀察材料在制備、加工或使用過程中的表面形貌變化,如金屬材料的磨損表面、腐蝕表面,了解材料的損傷機(jī)制,為材料的防護(hù)和使用壽命預(yù)測提供依據(jù)。

復(fù)合材料界面分析:觀察復(fù)合材料中不同相之間的界面結(jié)合情況,如碳纖維增強(qiáng)樹脂基復(fù)合材料中碳纖維與樹脂的界面結(jié)合狀態(tài),為提高復(fù)合材料的性能提供指導(dǎo)。

半導(dǎo)體行業(yè)

半導(dǎo)體器件制造與檢測:在半導(dǎo)體芯片制造過程中,用于觀察光刻圖案的精度、刻蝕效果、薄膜的均勻性等,如檢測芯片表面的光刻線條是否清晰、有無缺陷,及時(shí)發(fā)現(xiàn)制造過程中的問題,提高芯片的良品率。

半導(dǎo)體材料研究:分析半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)、缺陷分布、雜質(zhì)沉淀等,如研究硅材料中的位錯(cuò)、雜質(zhì)團(tuán)簇等缺陷對半導(dǎo)體性能的影響,為半導(dǎo)體材料的研發(fā)和質(zhì)量控制提供重要信息。

地質(zhì)與礦物學(xué)領(lǐng)域

礦物形貌與結(jié)構(gòu)分析:觀察礦物的晶體形態(tài)、解理、斷口等特征,如石英、長石等常見礦物的晶體形貌,為礦物的鑒定和分類提供依據(jù)。

巖石微觀結(jié)構(gòu)研究:分析巖石的孔隙結(jié)構(gòu)、礦物顆粒的排列方式、膠結(jié)物的形態(tài)等,了解巖石的物理性質(zhì)和力學(xué)性能,為石油勘探、地質(zhì)工程等提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

納米科技領(lǐng)域

納米材料制備與表征:用于觀察納米材料的尺寸、形狀、分散性等,如碳納米管的管徑、長度、管壁結(jié)構(gòu),以及納米顆粒的粒徑分布和團(tuán)聚狀態(tài)等,指導(dǎo)納米材料的合成和制備工藝優(yōu)化。

納米器件研究:觀察納米器件的結(jié)構(gòu)和性能,如納米傳感器、納米電子器件等的微觀結(jié)構(gòu)和界面特性,為納米器件的設(shè)計(jì)和性能改進(jìn)提供依據(jù)。

場發(fā)射掃描電鏡測試




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